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谢鹏飞; 方华松; 刘朝瑜;
船舶综合电力技术重点实验室 武汉 430064;
武汉恩硕科技有限公司 武汉 430062;
寄生电容; 有限元仿真; Q3D; 电磁兼容;
机译:部分SOI工艺中高压功率MOSFET的非线性寄生电容建模
机译:微波功率放大器的大信号可变性,基于效率低的基于器件灵敏度的物理建模
机译:基于3-D-TCAD的寄生电容提取,用于新兴的多栅极器件和电路
机译:基于GaN器件的双面冷却功率模块寄生电容特征
机译:基于粒子的功率放大器应用毫米波GaN器件可靠性建模
机译:串联电容薄膜压电器件的寄生电容对输出电压的影响
机译:先进纳米级器件中寄生电容的分析和建模
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法降低金属间介电层的寄生电容的同时降低特性,同时减小p的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法
机译:半导体器件的内部功率发生器,特别是防止由于寄生电容而引起的背偏置电压的上升
机译:输出功率检测设备,特别用于检测/分析输出功率,并基于分析后的输出功率执行AGC(自动增益控制)过程
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