生长温度对TCVD法制备定向碳纳米管薄膜影响

摘要

本文通过磁控溅射技术在单晶硅上制备了Ni薄膜作为催化剂,采用热化学气相沉积法(TCVD)以乙炔为碳源,合成了定向碳纳米管薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征了碳纳米管薄膜的表面微观形貌和内部结构,考察了温度对氨刻蚀催化剂膜和定向生长碳纳米管薄膜过程的影响。结果表明:在其他工艺参数条件一定的情况下,只有反应温度在750℃左右时,颗粒大小适中、分布均匀、催化活性适当、管型较准直;由透射电镜分析发现,在单晶硅上生长的碳纳米管为顶端生长模式,并初步讨论了制备取向碳纳米管的生长机理。