具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的特性研究

摘要

本文采用Sentaurus-TCAD软件研究了一种具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的静、动态特性,并与常规型FS-IGBT进行了对比。分析了不同FS峰值掺杂浓度及深度对正、反向阻断特性及导通特性及开关特性的影响。研究结果表明,采用隐埋型FS层,可以大幅度改善IGBT的反向阻断特性,同时正向阻断、导通及开关特性也有所改善,并且高温漏电流更小,高温稳定性能更好。