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Ultrafast Shallow-Buried-Channel CCD's with Built-in Drift Fields

机译：具有内置漂移场的超快浅埋通道CCD

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Lattes, A. L.; Munroe, S. C.; Seaver, M. M.;
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年度 1991
页码
总页数 5
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Charge coupled devices; Channels; Drift; Reprints;

机译：电荷耦合器件;通道;漂移;重印;

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1. Ultrafast shallow-buried-channel CCD's with built-in drift fields [J] . Lattes A.L., Munroe S.C. IEEE Electron Device Letters . 1991,第3期

机译：内置漂移场的超快浅埋通道CCD
2. Influence of Built-In Drift Fields on the Performance of InP-Based HBTs Grown by Solid-Source MBE [J] . Driad R. Electron Devices, IEEE Transactions on . 2012,第7期

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机译：具有内置漂移场的浅埋通道CCD。

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