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孙亮; 杨春晖; 徐玉恒; 赵连城;
哈尔滨工业大学,化工学院,哈尔滨,150001;
哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,哈尔滨,150001;
激光技术; Zr; Fe; LiNbO3晶体; 全息关联存储; 抗光折变阈值; 红外光谱;
机译:热压生产Si {sub} 55Al {sub} 20Fe {sub} 10Ni {sub} 5Zr {sub} 5大块非晶合金
机译:基于Zr0.5Hf0.5O2的纳米晶体Ba0.6Sr0.4TiO3阻挡层的非易失性存储器件具有显着的电荷捕获性能
机译:通过调整基于纳米晶体的电荷陷阱闪存单元中的(ZrO_2)_(0.6)(SiO_2)_(0.4)电荷陷阱层的微结构演变来增强存储性能
机译:Pt / Pb_5Ge_3O_(11)/(Zr,Hf)O_2 / Si单晶体管存储器件的集成工艺及性能
机译:使用集关联存储器架构的高性能数据包处理引擎。
机译:低压操作2D MOS2具有HF1-XZRXO2栅极结构的铁电存储器晶体管
机译:夹层结构PB(Zr0.4Ti0.6)O3 / BAZR0.2TI0.8O3 / PB(ZR0.4TI0.6)O3薄膜的能量存储性能
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3膜,可用于铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器
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