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李汝彬;
无;
PCVD技术; InSb; CID; 焦平面阵列; 红外;
机译:脉冲激光辐照InSb红外焦平面阵列的热效应研究
机译:InAs / InAsSb II型超晶格中波长红外焦平面阵列,其工作温度明显高于InSb
机译:间距为15μm的640 x 512 InSb焦平面阵列的长期稳定性
机译:评估SBRC 256 x 256 InSb焦平面阵列和1024 x 1024 InSb焦平面阵列的初步规格
机译:InAs / GaInSb和InAsN / GaInSb应变层超晶格带隙的理论模拟。
机译:基于同步加速器和焦平面阵列的傅立叶变换红外光谱技术可区分基底膜和功能性上皮内膜区域并确定人子宫内膜的假定干细胞区域
机译:INAS / INASSB Type-II超晶格中波长红外焦平面阵列,工作温度明显高于INSB
机译:用于长波红外光电探测器和焦平面阵列的Insb和InTlsb的mBE增长
机译:InSB纳米粒子的InSb红外解决方法及其在红外探测器中的应用
机译:用于执行pCVD沉积方法的过程以制造预成型件并制造光纤的设备,烤箱和用于执行沉积pCVD的过程的方法
机译:积极作用-识别意味着insbesonderef r病房健康技术
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