碲镉汞As掺杂技术研究

摘要

对于MBE原位掺杂,HgCdTe的N型掺杂比较容易,而P型掺杂相对来说难度比较大.作为掺杂杂质的As表现出两性掺杂行为,在富Te的条件下生长,As有很大的几率进入到阳离子位置处.而As必须进入Te位才能参与导电,表现为P型.因此,采取了多种方法,现已获得1016～1018cm-3掺杂水平的P型材料.在成功实现As的掺杂后,研究人员对激活退火做了一些研究.研究发现,需要在汞压下经过高温退火,As原子才能占据Te位成为受主杂质.对As在碲镉汞中的扩散系数也进行了研究.