硅基HgCdTe光伏器件的暗电流特性分析

摘要

对硅基HgCdTe中波器件进行了变温电流电压特性的测试和分析。测量温度从30K到240K,得到R0对数与温度的1000/T的实验曲线及拟合结果。同时选取60K、80K及110K下动态阻抗R与电压V的曲线进行拟合分析。研究表明在我们器件工作的温度点80K,零偏压附近主要的电流机制是产生复合电流和陷阱辅助隧穿电流。要提高器件的水平,必须降低陷阱辅助隧穿电流和产生复合电流对暗电流的贡献。