基于DE150的高速大电流窄脉宽半导体激光电源

冯志辉; 岳永坚; 刘恩海; 周武林

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基于DE150的高速大电流窄脉宽半导体激光电源

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总结了一种基于射频MOSFET管的高速大电流窄脉宽半导体激光驱动源设计方法,运用PSpice对整个驱动电路进行了仿真,最后利用DE150-201N09A MOSFET管制作了面积为12cm2的电路板,测试结果表明半导体激光器输出电流脉宽10ns左右、上升时间4ns,最大脉冲电流27A,最高重复频率可达50 kHz.

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来源
《激光与红外》|2009年第5期|489-492|共4页
作者
冯志辉; 岳永坚; 刘恩海; 周武林;
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作者单位

中国科学院光电技术研究所,四川,成都,610209;

中国科学院研究生院,北京,100039;

中国科学院光电技术研究所,四川,成都,610209;

中国科学院光电技术研究所,四川,成都,610209;

中国科学院光电技术研究所,四川,成都,610209;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
半导体激光驱动源; 脉冲电流; 上升时间; 脉宽; 重复频率; DE150;
入库时间 2022-08-18 03:11:41

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