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上升时间

上升时间的相关文献在1983年到2022年内共计399篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、电工技术、一般工业技术 等领域,其中期刊论文296篇、会议论文33篇、专利文献58871篇;相关期刊179种,包括股市动态分析、计量技术、中国测试等; 相关会议30种,包括第十八届中国科协年会、2015年全国绝缘材料与绝缘技术专题研讨会、2014国防计量与测试学术交流会等;上升时间的相关文献由892位作者贡献,包括龚鹏伟、姜河、谢文等。

上升时间—发文量

期刊论文>

论文:296 占比:0.50%

会议论文>

论文:33 占比:0.06%

专利文献>

论文:58871 占比:99.44%

总计:59200篇

上升时间—发文趋势图

上升时间

-研究学者

  • 龚鹏伟
  • 姜河
  • 谢文
  • 谌贝
  • 马红梅
  • 杨春涛
  • 梁志国
  • 姚学玲
  • 杜亮
  • 陈景亮
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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    • 赵仕良; 张洪浩; 黎宏宇; 张旋
    • 摘要: 方波在数字系统和控制系统中都有很重要的作用.信号源输出方波的沿是最陡峭的,用有限的软硬件平台去测量方波信号源全频段的参数是很困难的,特别是上升时间和下降时间.基于FPGA和DSP测试平台,对信号源输出的方波进行全频段的等效时间采样,引入数学上“非线性问题在小范围内局部线性化”的处理方法实现对信号源方波上升时间和下降时间参数的精确测量,同时也测量了失真度.其中上升时间和下降时间可以精确到ns数量级,和高端示波器测量的结果基本一致.因此,采用局部线性和等效时间采样法是一种低成本、高精度的可行方法,对其他电子测量也有一定的参考价值.
    • 于超凡; 王鹏; 马世金; 李佩宜; Shakeel AKRAM
    • 摘要: 采用双极性重复方波电压,借助特高频测试方法,实验研究了重复方波电压幅值、频率、占空比、上升时间对变频电机匝间绝缘放电频域能量分布的影响规律。结果表明:放电0.50 GHz以上频域能量随占空比的增大而明显增加;频域各频段能量随脉冲电压幅值的增大而增加,1.50 GHz以上高频能量随频率的提升不断衰减;脉冲电压上升速率对放电频域能量影响显著,放电脉冲在1.00~2.00 GHz高频能量随电压上升速率的增大而增加。在设计用于高频、陡脉冲电压下变频电机绝缘PDIV测试的特高频传感器时,应充分考虑上述脉冲参数对频域能量的分布影响,以提升PDIV测试的灵敏度和信噪比。
    • 曹泽林; 陶夏新; 陶正如; 王可意
    • 摘要: 地震动合成方法的应用前景与其所能表达的有效频带范围紧密相关.本文研究基于频率波数域格林函数的地震动合成方法(FK法),分析频带范围的关键影响要素及处理措施.在介绍计算原理的基础上,概括FK法合成地震动的主要影响要素,分析地壳速度模型对子源地震矩、破裂时间和传播时间的影响.随后,分析格林函数传播宽频带地震波的能力,提出格林函数计算中的频带影响参数的建议值.为分析FK法的震源模型辐射宽频带地震波的能力,重点考察控制子源错动过程的震源时间函数和上升时间.研究认为,FK法具有合成宽频带地震动的能力,这需要采用合理的参数和模型.
    • 吴文贡
    • 摘要: 该文在介绍了传统电荷泵结构的基础上,结合驱动内部功率管的实际需求,充分利用内部功率管本身的寄生电容,设计了一个单电容电荷泵和该电荷泵的简化结构,给出了SPICE仿真结果,基于CSMC 0.18um BCD工艺流片验证,测试参数达到设计目标。
    • 魏鑫成; 黄丽霞; 戴雪梅; 石文泽; 李煦钊
    • 摘要: 针对钛合金损伤在役监测需要,提出了采用声发射实时动态监测技术.利用有限元分析方法,通过建立钛合金板结构模型,并对其中不同类型、不同上升时间与不同传导距离的裂纹源开展研究,利用小波方法和频散曲线分析声发射源的特征频率与模态.仿真实验结果表明,在设定适当的上升时间与传导距离时,不同类型的声发射源有着不同的特征频率与模态,根据采集的数据可以对声发射源的类型进行判断.此外,随着上升时间的增加,模态特征识别难度加大,直至最终无法识别.不同传导距离对特征频率与模态表征的差异也比较明显.该研究结果可为进一步开展钛合金损伤实验提供参考依据.
    • 钱香; 陆亚青
    • 摘要: CMOS电路中同时采用NMOS管和PMOS管,电路结构简单且规则,静态功耗非常小,在集成电路中用的较多.CMOS反相器是静态CMOS逻辑电路的基本单元之一,为了分析其直流特性和瞬态特性,用Cadence软件设计了一种CMOS反相器.由CMOS反相器的上升时间和下降时间表达式得到瞬态特性的影响因素,通过软件仿真加以验证.
    • 李海霞; 王宇; 林威威; 刘冰怡; 张中原; 刘阳
    • 摘要: 采用化学气相沉积(CVD)法成功制备了p-ZnO:Fe/n-GaN准三维纳米结构,并基于p-ZnO:Fe/n-GaN异质结制备了高性能的自驱动紫外光电探测器.微结构研究结果表明:Fe元素成功掺入ZnO纳米结构,使其转化为p型半导体.室温光致发光谱紫外光发射峰红移,表明p-ZnO:Fe纳米结构中形成了浅受主能级缺陷.由于p-n结的光伏效应,紫外光电探测器展示出自驱动响应特性.ZnO的p型掺杂造成的电荷传输距离缩短及其独特的准三维纳米结构,使得探测器展示出高的开关比和快速响应特性.在零偏压和-1 V偏压下,紫外光电探测器的电流开关比分别为58.3和92.0,上升和回复时间均小于10 ms.该高性能紫外光电探测器的成功研制可为纳米级光电开关的制备提供理论思路和技术指导.
    • 陈洋; 戴武斌; 胡金; 樊烨明; 黎华; 徐慢
    • 摘要: 为了探究稀土离子掺杂铝硅酸盐的光温特性,本文采用燃烧合成法制备了系列荧光粉材料Ca1-3x/2Al2Si2O8:xEu3+.X射线衍射结果表明掺杂Eu3+离子不会改变基质CaAl2Si2O8的晶体结构.荧光光谱结果表明该荧光粉在近紫外光区域具有较强吸收,当被波长为393 nm的近紫外光激发后,其最大特征发射峰为611 nm,且Eu3+离子的最佳掺杂浓度为0.05.利用上升时间测温法研究了CaAl2Si2O8:Eu3+荧光粉的光温传感特性,结果表明:随着Eu3+掺杂浓度的增加,上升时间单调递减,但当掺杂掺杂超过0.100时就会发生淬灭.Ca0.985Al2Si2O8:0.01Eu3+的相对灵敏度随温度的升高先增大后减小,并在520 K时达到最大值(0.024 K-1).上述研究表明该荧光粉具备优异的温度传感性能,在测温领域具有广泛的应用前景.
    • 于秀坤
    • 摘要: 从双图象获取信息解决身边数学问题,是近年中考命题的热点.求解此类题目,需要从已知图象中发掘信息,先求函数解析式,再根据函数解析式得出结论.例1(2020·辽宁·大连)甲、乙两个探测气球分别从海拔5 m和15 m处同时出发,匀速上升60 min.图1是甲、乙两个探测气球所在位置的海拔y(单位:m)与气球上升时间x(单位:min)的函数图象.
    • 王香霁; 杨兰兰; 杨昌; 王倩; 屠彦
    • 摘要: 场路协同仿真方法可耦合场与路研究空气静电放电的非线性特征,有助于静电放电防护的进一步改进。基于CST仿真软件,首先通过静电放电发生器标准电流测试模型对场路协同仿真方法进行验证,然后利用该方法将静电放电发生器的3D全波模型和非线性电弧模型相结合,探究放电电流随激励电压和放电弧长的变化关系。仿真结果表明:放电上升时间和峰值电流均随着激励电压和弧长指数变化,而小弧长情况下与接触放电类似接近线性变化;而结合实验中电弧长度随电压变化的特性,得出激励电压、电流峰值和上升时间的定量关系。仿真结果和文献中的实验结果相吻合,同时场路协同仿真可获得任一时刻的场分布信息,对电子设备的故障检测具有指导意义。
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