CdTe/ZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究

摘要

开展了CdTe/ZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究.CdTe钝化膜经退火热处理后,可实现CdTe/MCT界面的互扩散,并改善CdTe钝化膜的质量.通过全湿法腐蚀方法完成了金属化开口,制备了长波碲镉汞600×18@15 μm规格线列和640 ×512@15 μm规格面阵.线列I-V测试表明:CdTe/ZnS双层钝化膜能有效地减少长波碲镉汞器件的表面漏电流,器件的反向结特性良好.面阵在77K测试:NETD 26. 7 mK,有效像元率95. 4%,并对室温目标进行了凝视成像.测试过程出现了4%左右由噪声引起的零散盲元,是由芯片面阵局部钝化失效引起的,表明钝化膜沉积工艺及芯片加工工艺尚有改进的空间.