金属—半导体界面附近的空位电子态

摘要

本文用紧束缚模型发展了金属—半导体界面附近的空位理论。研究结果发现:空位对它附近区域的态密度有一定影响;空位的生成能随空位-界面间距的变化是一个振荡函数;空位趋向于朝界面处吸引。当系统中同时存在两个空位时,由于介质极化,空位之间要发生间接相互作用,其间接相互作用能随空位-空位间距的改变发生振荡。