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王乔民;
云南大学物理系;
势垒; p-n结; 间接复合; 复合过程; 复合层; 复合率; 近似处理; 载流子密度; 驼峰曲线; 直接复合;
机译:HgCdTe中As离子注入的势垒层诱导沟道效应及其对p-n结电学性质的影响
机译:GaAs和Alx Ga1-x As分子束外延层制备的肖特基势垒和p-n结的性质
机译:GaN HFET势垒层表面上存在可移动空穴的证据-高功率晶体管放大器电流崩溃的根本原因
机译:具有高势垒透明性的铌/氧化铝/铌约瑟夫森结的电流传输特性。
机译:带有ZnO复合势垒层的TiO2纳米管对Ag2S量子点敏化太阳能电池的转换效率提高
机译:加热对/ CdTe / Au X和γ射线检测器的电和光谱性能与肖特基势垒或激光诱导的P-N结的影响
机译:具有高度稳定的铝接触金属化的硅肖特基势垒和p-n结
机译:一种用于势垒放电产生装置的势垒放电电极,具有在两个介电层之间设置的导电层,并且在一个介电层的一侧上存在沟道,其中该一侧远离导电层
机译:带有P-N结的复合势垒的MWIR光电探测器
机译:异质结双极晶体管制造。处理特别是在发射极和基极之间具有势垒-通过从集电极层上的基极层通过势垒材料层中的窗口横向生长来形成外延发射极层
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