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InGaAsP单结太阳电池基区的优化与模拟

         

摘要

通过有限元分析软件APSYS对1.0 eV的InGaAsP单结太阳电池进行建模仿真,通过改变基区的厚度和掺杂浓度,得到短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率等电学参数,最终在AM0、1 Sun、300 K不加减反射膜的情况下效率达到12.64%.

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