3C-SiC材料n型掺杂的电子结构的第一性原理研究

摘要

利用第一性原理赝势方法计算了Si0.875X0.125C(X=N、P、As)的电子能带结构、态密度、电荷布居数和静介电常数.计算结果表明:随着N、p、As元素的掺杂,掺杂体系的禁带宽度逐渐增大,费米能级越过导带,表现出n型半导体的特征;掺杂原子与C原子形成的化学键,共价性减弱,且掺杂体系的静介电常数都有不同程度的增大.