U型坩埚内碘化铅熔体中的气泡分析

摘要

U型坩埚上升法足生长碘化铅单晶体的一种新方法,它不能自动排除熔体中可能产生的气泡.本文结合已有的实验数据,分析了熔体温度、熔体富碘最对气泡形核临界半径的影响.结果表明:随着熔体温度升高或熔体富碘量增加,气泡长大的临界半径减小.熔体温度低于773K时,气泡长大的临界半径在0.11μm以上,且晶锭中没有气泡.这为优化晶体生长工艺奠定了理论基础.