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单电子晶体管I-V特性数值分析

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摘要

在单电子晶体管的正统理论的基础上 ,建立了平稳条件下I V特性的数值分析方法 .应用该方法计算和分析了温度和栅压对单电子晶体管I V 特性的影响 ,研究了隧道结电阻对于库仑台阶及电导振荡的影响 ,分析了单电子现象产生的条件 .

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来源
《西安电子科技大学学报》 |2002年第2期|153-156|共5页
作者
杜磊; 庄奕琪; 江文平;
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作者单位

西安电子科技大学技术物理学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
单电子晶体管; 库仑阻塞; 库仑台阶; I-V特性; 数据分析;

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