纳米硅薄膜微结构变化对薄膜光电性质的影响

摘要

用退火的方法改变了纳米硅薄膜的微结构。用Ｒａｍａｎ散射和共振核反应方法分析了薄膜的微结构变化。结果表明，薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素，而薄膜的晶态体积比和晶粒尺寸是影响薄膜导率的主要因素。