首页> 中文期刊>渭南师范学院学报 >半绝缘GaAs半导体开关的传输特性研究

半绝缘GaAs半导体开关的传输特性研究

     

摘要

通过实验及理论分析,对半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关的光电性能和传输特性进行了研究.在不同的偏置电压条件下,开关将输出两种不同模式的电脉冲并存在振荡效应,认为:导致输出电脉冲振荡效应的主要原因是光电导振荡现象;当外界光电条件一定,开关电极间隙越小,输出电脉冲上升时间越短,输出功率越大.为了提高开关的上升时间和输出功率,必须使光电导开关工作在饱和状态.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号