多晶Co膜退火前后磁滞标度行为研究

摘要

研究了多晶Co薄膜制备态与退火态的磁滞回线与标度行为,结果表明:对易轴方向A∝A0+H(0.67-1.00)Ω0.90,对难轴方向A∝A0+H(1.75-2.50)Ω(1.45-0.95),与理论计算(α＝0.95,β＝0.28(Heisenberg模型))作比较,A与H的关系符合的较好,A与Ω的指数关系有些差异,这种差异还有待进一步研究.