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Mg2Si基热电材料的性能优化研究及其进展

         

摘要

Mg2Si基半导体是重要的中温热电材料,具有原料丰富、价格低、无毒等优点;其载流子有效质量和迁移率均较高,有望获得优异的电性能,近年来倍受关注.该文综述了Mg2Si基材料的研究进展,重点探讨了提高其热电性能的措施,对比了不同制备方法的优缺点,最后指出了今后的研究方向.分析表明,目前研究主要集中在n型体系,应加强对p型材料的性能优化探索.掺杂对提高热电性能的效果更显著,通过制备工艺的优化,将掺杂和纳米化两种措施结合,可进一步有效优化.

著录项

  • 来源
    《电子科技大学学报》 |2018年第5期|753-760|共8页
  • 作者单位

    流体及动力机械教育部重点实验室,西华大学材料科学与工程学院 成都 610039;

    电子科技大学电子科学与工程学院 成都 611731;

    流体及动力机械教育部重点实验室,西华大学材料科学与工程学院 成都 610039;

    电子科技大学电子科学与工程学院 成都 611731;

    日本东京理科大学理学部物理系 东京 162-8601;

    流体及动力机械教育部重点实验室,西华大学材料科学与工程学院 成都 610039;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体技术;
  • 关键词

    掺杂; Mg2Si; 纳米化; 热电性能;

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