真空蒸发蹄化物薄膜光电性能的研究

摘要

采用高温烧结和真空蒸发制备了ＣｄＴｅ光敏敏薄膜，探讨了制备工艺对ＣｄＴｅ薄膜的性能和结构的影响，说明了在基片温度为１３０℃左右下制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的光敏特性，交得到ＣｄＴｅ材料的禁带宽度为１．６３ｅＶ。利用Ｘ衍射对不同基片温度下制备的ＣｄＴｅ薄膜材料进行了结构分析，发现基片温度为１３０℃左右时制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的衍射峰。