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吴功伟; 曹安源; 魏秉庆; 徐才录; 梁吉; 吴德海;
清华大学机械工程系;
碳纳米管; 定向生长; 工艺参数; 碳纳米管薄膜; 石英基底; 反应温度; 反应时间;
机译:工艺参数对真空定向凝固硅提纯过程中生长速率的影响
机译:氧化铝相和工艺参数对多壁碳纳米管生长的影响
机译:工艺参数和底物结构对乙醇催化分解单壁碳纳米管生长的影响
机译:工艺参数对热CVD法生长碳纳米管的影响
机译:气相生长的碳纳米纤维,单壁碳纳米管和功能化单壁碳纳米管-聚丙烯纳米复合材料的结构-工艺-性能相互关系。
机译:吡啶化学气相沉积制得的氮掺杂石墨烯薄膜:工艺参数对电学和光学性质的影响
机译:工艺参数和添加剂对LSCF6428薄膜电泳沉积的影响(工艺参数和添加剂对电泳胶的影响沉积的LSCF6428膜)
机译:工艺参数 - 生长环境 - 反应溅射沉积金属(V,Nb,Zr,Y,au)氧化物,氮化物和氮氧化物薄膜的薄膜性质关系
机译:包含液体的定向碳纳米管生长催化剂和制备定向碳纳米管的方法
机译:含有定向碳纳米管的生长催化剂涂料液和制造定向碳纳米管的方法
机译:碳纳米管生长的基质,制造相同碳纳米管的方法和定向碳纳米管的制造方法
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