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张学华; 曹猛; 杨瑾; 刘桐; 李德军;
天津师范大学,物理与电子信息学院,天津,300074;
射频磁控溅射; TaN单层膜; TaN靶材; Ta靶材;
机译:脉冲激光沉积镀膜工艺中不同靶材制备方法对La0.72Ca0.28MnO3薄膜电学性能和激光感生电压的影响
机译:偏置电压辅助氮化碳靶材PLD制备的a-CN_x薄膜的微观结构和力学性能
机译:脉冲直流磁控溅射从四元陶瓷靶材制备具有不同优选取向的Cu_2ZnSnS_4薄膜
机译:制备工艺和靶材组成对NdFeB薄膜晶体结构和磁性能的影响
机译:通过脉冲激光沉积制备半金属磁性氧化物薄膜的材料物理学:控制锶铁钼氧化物和铬氧化物薄膜的晶体结构和近表面性质。
机译:飞秒激光烧蚀水中大量MoS2靶材制备单层MoS2量子点
机译:晶体结构对使用两种靶材进行脉冲激光沉积制备的β-FeSi2薄膜的光致发光的影响
机译:两种不同方法制备金属间化合物基复合材料力学性能和显微组织的比较
机译:NiSi靶材,靶材,NiSi靶材的制造方法,NiSi薄膜,其制备方法和薄膜元件
机译:介电单层薄膜,电容器和半导体器件,包括介电单层薄膜,以及介电单层薄膜的制备方法
机译:高纯度钴铁合金溅射靶材,使用相同溅射靶材沉积的磁性薄膜和制备相同高纯度钴铁合金溅射靶材的方法
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