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马召灿; 李鸿亮; 卢本卓;
中国科学院计算数学研究所;
北京100190;
四川师范大学数学科学学院;
四川成都610066;
电离损伤效应; 氧化物缺陷; 界面缺陷; 并行有限元;
机译:结合多组分基质扩散的吸附为主的双孔隙度储层中气体混合物流动模型-第二部分数值算法和应用实例
机译:使用局部非平衡扩散 - 漂移模型郭居静-Vernotta的用于当暴露于电离辐射亚皮秒描述的二极管结构的光电流松弛
机译:应用驱动的漂移扩散模型在Decanano规模CMOS器件中的载流子传输模型的改进
机译:关于使用漂移-扩散和流体动力传输模型模拟负微分迁移率效应的研究
机译:功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管中的总电离剂量效应。
机译:替代奖励调节漂移扩散模型中证据累积的漂移率
机译:漂移扩散模型作为间歇性和危险选择的选择规则:中间眶均皮质损伤患者和对照的案例研究
机译:脉冲探测与近距离接收器作为测量电离层大气运动和精细结构的工具。三。广义相关和交叉谱分析在湍流漂移模型中的应用
机译:弹性固体物体损伤的非破坏性检测涉及通过使用准备好的计算机模型从获得的数值算法确定被测物体的层和边界壁上的平面损伤
机译:自优化电路,用于减轻完全耗尽的绝缘体上硅技术中的总电离剂量效应,温度漂移和老化现象
机译:具有深的全耗尽漏极漂移区的高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOSFET)
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