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尚竞成12; 王晓东2; 王兵兵2; 陈雨璐2; 潘鸣2;
[1]杭州电子科技大学电子信息学院,浙江杭州310018;
[2]中国电子科技集团公司第五十研究所,上海200331;
砷化镓; 阻挡杂质带探测器; 外延工艺; 背景响应电流; 暗电流; 太赫兹探测;
机译:基于GaAs的阻塞杂质带(BIB)探测器的温度相关暗电流传输机制分析
机译:基于GaAs的阻塞 - 杂质带(BiB)远红外探测器中的吸收层厚度相关的光谱响应机构
机译:与基于GAAS的阻塞 - 杂质带(BIB)远红外探测器中的吸收层的厚度相关的载体传输机构
机译:GaAs基阻塞杂质带(BIB)太赫兹探测器的载流子输运特性对吸收层厚度的依赖性的数值模拟
机译:Sudbury Neutrino天文台中性电流探测器的部署和背景特性。
机译:InGaAs / GaAs / AlGaAs阶跃量子阱中带间激发的Rashba型和Dresselhaus型圆形光电流效应引起的自旋光电流谱
机译:低暗电流扩散限制平面型Ingaas光电探测器
机译:新型Gaas基红外探测器 - 第1阶段
机译:GaAs基激光器的方法和GaAs基激光器
机译:AlGaAs基半导体激光器的制造方法,AlGaAs基半导体器件的制造方法和化合物半导体生长方法
机译:p型GaAs衬底ZnSe基雪崩光电二极管和p型GaAs衬底ZnSe基光电二极管
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