一种CMOS基准电压源的设计

摘要

设计了一种基于CMOS工艺的带隙基准电压源.该基准电压源采用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流,采用共源共栅电流源作为负载,具有结构简单、低温漂、高电源抑制比特性.仿真结果表明,在VDD = 5 V 时,该电路具有6. 5 ×10-6 V/ ℃的温度特性和52 dB 的电源抑制比.经流片测试,其性能良好,已应用到光通信用跨阻放大器中.