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李观启; 黄美浅; 刘百勇;
华南理工大学物理系;
SiO2; 薄膜; 击穿; 退火; 氧化膜; 缺陷;
机译:薄的W中间层对NiSi膜的热稳定性和电特性的影响
机译:用薄介电膜对低流量气体放电的耐致特性和稳定性的薄介电膜的磁极发射的影响
机译:电导率和击穿点尺寸对薄SiO_2栅氧化物的逐步击穿的影响
机译:使用低压化学气相沉积钨膜的中间涂层金属栅极的制备与非常薄的SiO_2膜相容
机译:砷化镓晶体生长中缺陷,杂质和载体的特征及其对电性能,热稳定性和注入退火特性的影响。
机译:麸皮预处理与内唑烷酶对中等小麦草(薄孔中间)面包特性的影响
机译:薄mgO介电层的退化和击穿特性
机译:薄铋膜的电输运特性
机译:产生具有周期性或混沌击穿的EM振荡-使用受限制的电导率区域将击穿高阻层夹在中间,受到外部影响
机译:通过使用激光或灯对铁电膜进行直接退火,然后通过透光和/或吸收膜进行第二次退火来形成铁电膜的方法
机译:薄的扁平锆合金元素,特别是用于核燃料棒间隔件的锆合金元素,是在多道次冷轧操作中使用长时间低温中间退火或预退火制成的
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