在PI衬底上制备CdS薄膜及其性能表征

摘要

介绍用化学水浴法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积铜铟镓硒薄膜太阳电池的缓冲层CdS薄膜.研究制备CdS薄膜过程中的一些化学反应过程和反应机理,着重研究在沉积过程中,氨水浓度和水浴温度温度对CdS薄膜品质的影响.经过实验比较得到沉积CdS薄膜的较佳氨水浓度和水浴温度条件为:1.3×10-3mol/L NH3.H2O,75℃水浴温度.