在PI衬底上制备CdS薄膜及其性能表征

摘要

本文介绍用化学水浴法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积铜钢镓硒薄膜太阳电池的缓冲层CdS簿膜。研究制备CdS薄膜过程中的一些化学反应过程和反应机理，着重研究在沉积过程中，氨水浓度和水浴温度温度对CdS薄膜品质的影响。经过实验比较得到沉积CdS薄膜的较佳氨水浓度和水浴温度条件为：1.3×10-3M NH3·H2O，75℃水浴温度。