分析转移矩阵方法研究半导体异质结中的隧穿

摘要

用分析转移矩阵方法研究了电子隧道贯穿半导体异质结的性质,给出了包含有效质量变化的任意形状的势垒的透射几率的解析公式.此公式既适用于线性变化的势垒,也适用于非线性变化的势垒.文中应用于四种势垒的隧穿系数的计算,结果都非常精确.单垒结构中,随着电子入射能量的增加,透射几率的曲线将在接近1的数值区域振荡.在半导体异质结形成的双垒结构中会发生隧穿共振现象.