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Al/α-Si复合膜中非晶硅晶化研究

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研究了Al/α-Si复合膜中非晶硅的晶化问题.α-Si膜在与Al相接触条件下,其晶化温度下降,在350℃下退火几分钟,产生晶化转变.而单独的α-Si膜的晶化温度是700℃.

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来源
《四川大学学报：自然科学版》 |1991年第2期|177-180|共4页
作者
蔡伟; 万德锐; 文秀英;
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作者单位

四川大学材料科学系;

四川大学分析测试中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类非晶态半导体 ;
关键词
非晶硅; 晶化转变; 复合膜;

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