非晶与单晶硅电解掺氢的研究

摘要

用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢，使非晶硅中悬挂键的ＥＳＲ信号明显下降，相应悬键密度由２．５×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）下降为８×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）．并发现以Ｈ＿３ＰＯ＿４为电解液时，对作为阴极的非晶硅和Ｐ型单晶硅均有轻度的腐蚀作用，在Ｈ＿２ＳＯ＿４中电解，温度高达２２０℃，对硅也无腐蚀作用．