（ZnSe）n／（ZnS）m应变层超晶格的光吸收系数

摘要

用Ｌｕｔｔｉｎｇ－Ｋｏｈｎ有效质量理论研究了［０，０，１］方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／（ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的光吸收系数，并与前人实验结果比较和讨论。结果表明：光吸收系数与阱宽和垒宽有关。