基于密度泛函理论的NiAs型MnTe第一原理计算

摘要

运用MaterialsStudi0 6.0程序CASTEP软件包建立NiAs型MnTe单胞和1×1×10的超胞模型,采用GGA-PBE-TS近似,得出能带结构和态密度曲线.NiAs型MnTe为间接能隙窄带半导体,带隙为0.843 eV; MnTe单胞的下价带在-12.5～-10.5 eV,是一条二重简并带.在-6～-3.5 eV和0.8～2.6eV主要由Mn原子的d态电子贡献,该Mn原子的d电子的有效质量较大,导致强的电子局域性;MnTe1×1×10超胞的带隙为0.623 eV,下价带位于-13～-11 eV,对比单胞略微下移;在上价带和导带区域,MnTe超胞d态电子的能带和态密度都比MnTe单胞的变化平稳,整体形成较宽的赝能隙,说明Mn离子的共价性较强.