晶片行星式研磨抛光机运动模拟研究

摘要

针对单晶硅片高精度研磨抛光中存在的问题,从摩擦学理论出发计算模拟了磨粒平均相对速度、研磨盘磨损的变化过程,揭示了运动参数对研抛的表面质量、纹理方向的影响规律,对晶片研抛机运动参数的合理选择具有普遍的意义.