不同波长激光对半导体Si表面的损伤机制

刘烨; 周新玲

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不同波长激光对半导体Si表面的损伤机制

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为了研究不同激光对半导体Si表面的损伤机制,实验中采用扫描电镜记录1064 nm激光和248 nm激光对单晶Si材料的表面损伤.通过比较,发现在紫外光辐照下Si表面熔融效应明显并且出现了清晰的周期性条纹.经分析认为表面损伤主要是热应力、激光自持爆轰波的冲击压力和蒸发波的反冲力所导致,损伤形貌的差异则源于材料对不同激光的吸收系数有显著差别.

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来源
《上海工程技术大学学报》 |2008年第2期|104-108|共5页
作者
刘烨; 周新玲;
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作者单位

上海工程技术大学基础教学学院,上海201620;

山东师范大学物理与电子科学学院,济南250014;

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正文语种 chi
中图分类与物质的相互作用;
关键词
光吸收系数; 损伤机制; 热应力;

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