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势阱形状对电场下量子阱子带和激子能移的影响

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摘要

在束缚态近似下,用级数解法求解电场下各种不同形状GaAs/GaAlAs量子阱中电子和空穴子带,进一步采用变分方法得到激子结合能.由此,我们首次得到电场下由抛物阱至方位阱子带和激子峰能移的变化图象.在考虑GaAs/GaAlAs量子阱形状影响的基础上,我们计算所得结果与实验吻合得很好.

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来源
《半导体学报》 |1989年第8期|565-575|共11页
作者
朱嘉麟; 唐道华; 顾秉林; 熊家炯;
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作者单位

清华大学现代应用物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN471.1;
关键词
量子阱; 激子; GaAs; GaA/As;

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