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刘振先; 李国华; 韩和相; 汪兆平;
中国科学院半导体研究所;
GaAs/AlGaAs; 能带结构; 超晶格; 压力;
机译:GaAs / AlAs短周期超晶格中嵌入的GaAs单量子阱的压电光热研究
机译:GaAs-AlGaAs超晶格结构的能带不连续性和计算
机译:InAlGaAs-GaAs超晶格中极化电子的光发射,其导带中的不连续性最小
机译:在多面311 A和平面311 B,100 GaAs衬底上生长的波纹状和平坦的GaAs / AlAs短周期超晶格中的光致发光的极化各向异性
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:GaAs / AlAs超晶格中点缺陷的第一性原理研究:相稳定性及其对能带结构和载流子迁移率的影响
机译:变质Gaas / Gapas短周期超晶格中的外延纳米线形成
机译:利用磁激发光谱检测Inp上(Inas)(sub n)/(Gaas)(sub n)短周期超晶格中的横向成分调制
机译:用于陆地车辆的电不连续性检测组件,具有处理模块,该处理模块接收谐振电路的振荡频率,并在电不连续性的情况下将频率变化转换为默认信号
机译:检测由流体边界变化引起的压力测量不连续性的方法
机译:检测流体边界变化引起的压力测量不连续性的方法
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