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高消光比偏振不灵敏电吸收调制器(英文)

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摘要

用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器 ,应用应变 In Ga As/In Al As材料做多量子阱 ,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性 ,以及其高消光比 (>40 d B)和低电容 (10 GHz)

著录项

来源
《半导体学报》 |2001年第11期|1374-1376|共3页
作者
孙洋; 王圩; 陈娓兮; 刘国利; 周帆; 朱洪亮;
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作者单位

中国科学院半导体研究所光电子工艺中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类调制技术与调制器;
关键词
电吸收; 调制器; 偏振不灵敏; 消光比偏振;

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