Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质

危书义; 马丽; 杨宗献; 戴宪起; 张开明

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Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质

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用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究 .

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来源
《半导体学报》 |2003年第10期|1040-1043|共4页
作者
危书义; 马丽; 杨宗献; 戴宪起; 张开明;
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作者单位

河南师范大学物理与信息工程学院;

复旦大学应用表面物理国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类凝聚态物理学;
关键词
化学吸附; 钴; 硅; 低指数单晶面; 金属薄膜;

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