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郭维廉; 张世林; 梁惠来; 齐海涛; 毛陆虹; 牛萍娟; 于欣; 王伟; 王文新; 陈宏; 周均铭;
天津大学电子信息工程学院;
天津工业大学信息与通信工程学院;
中国科学院物理研究所;
RSTT; 高速化合物三端功能器件; 三端负阻器件; 热电子器件; 电子转移器件;
机译:具有浅沟道和侧壁构图的扩展沟道双栅单电子晶体管(DG-SET)的特性可抑制MOS电流
机译:InGaAs / GaAs实空间转移高电子迁移率晶体管中的双跨导平台特性
机译:具有InGaAs沟道和InGaAs / InP复合沟道的基于InP的高电子迁移率晶体管的微波噪声特性:比较研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:双栅三有源层沟道用于AMOLED像素电路的IGZO薄膜晶体管的设计与分析
机译:双点单电子的量子测量特性 晶体管
机译:改进的应变HEmT(高电子迁移率晶体管)特性使用双(0.65)Ga(0.35)as / In(0.52)al(0.48)设计的双异质结。
机译:包括沟道的晶体管,第一晶体管和第二区域的氧浓度低于沟道的其余区域的晶体管,制造晶体管的方法以及包括该晶体管的电子器件
机译:p沟道晶体管和n沟道晶体管的特性,在正体偏置中的自适应阈值电压控制
机译:用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法,所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值
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