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斯剑霄; 吴惠桢; 徐天宁; 曹春芳;
浙江大学物理系;
硅材料国家重点实验室;
杭州310027;
浙江师范大学数理信息学院;
金华321004;
PbSe薄膜; 迁移率; 光学波散射;
机译:外延PbSe薄膜中的空穴传输和声子散射
机译:掺硼同质外延化学气相沉积金刚石薄膜中空穴的霍尔迁移率和散射机理
机译:气隙SiO_2纳米模板在Si上Ge外延生长过程中的热应力释放机理及相应的空穴迁移率改善
机译:通过高温热扩散率测量鉴定氮化硅中的声子散射机理。
机译:纳米结构Nb薄膜超导体中的光诱导电子-声子散射介导的电阻转换
机译:声子在(110)贵金属表面上由声子引起的激发电子和空穴的散射
机译:alxGa1-xas / Gaas异质结中的声子散射限制电子迁移率
机译:用于电极迁移率的无电极测量设备用于空穴迁移率的无电极测量设备用于电极迁移率的无电极测量方法和用于空穴迁移率的无电极测量方法
机译:超结半导体组件具有n型区域,n型区域中的电子迁移率和p型区域中的空穴的迁移率等于或低于第一本征半导体区域中的电子或空穴迁移率的一半
机译:结合选择性外延使用混合取向技术(HOT)以形成具有不同电子和空穴迁移率区域的半导体器件的方法及相关装置
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