GaAs器件中载流子非稳态输运的蒙特卡罗模拟

摘要

本文用多粒子蒙特卡罗方法对GaAs器件中的载流子非稳态输运过程进行了模拟,解释了载流子速度过冲效应对亚微米器件性能的影响。给出了一种由P集电区、P^+缓变基区和AlGaAs/GaAs异质发射结组成的N^+P^+PN新结构,预计将对缩短基区-集电区渡越时间有明显的作用。