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柳连俊; 钱佩信; 张宗铭; 潘子康; 李志坚;
清华大学微电子学研究所;
SOI; 亚晶界; 定域区熔; VLSI;
机译:高速区熔再结晶过程制得的薄膜硅的表征
机译:福尔马林测试后,全身可乐定激活背角的神经元,但不激活蓝斑(A6)或A7区域的神经元:背角在可乐定抗伤害感受作用中的重要性
机译:成分和先质对反向奥氏体晶粒尺寸的影响(反向转变。通过γ区锻造过程再结晶过程对细晶粒强化的检验-1)成分和先质对反向奥氏体晶粒尺寸的影响中碳钢的相变(热锻工艺-1的逆相变和再结晶进行的晶粒细化-强化研究)
机译:CO / sub 2 /激光区熔体重结晶制得的SOI结构缺陷分析
机译:枯草芽孢杆菌在孢子形成过程中SpoIIIE转运DNA的机制的生化研究:探查跨膜结构域,α域和铰链区。
机译:降雨淋溶过程中锑熔渣堆积区锑累积释放特征及机理研究
机译:电离辐射对siO2区熔融 - 再结晶硅薄膜制备sOI / CmOs器件的影响
机译:研究机构,用于确定人体某一区域的局部吸收值。
机译:设置用于调节自动扶梯断电的触点安全性的触点,其安全范围由预先确定的安全范围控制,该范围用于使薄片状梳状的薄片在自动扶梯着陆区域内向上运动:调节conWith触点的过程自动扶梯的安全性由已知的向上力定义,以一定的停电位置,并以梳子的形式传输到纸张出口。在自动扶梯上进行垂直拆卸,并调整自动扶梯的一组安全触点。能量的状态是由预定的向上的力定义的,该预定的向上的力传递到在自动扶梯上呈垂直消褶状的薄片输出梳状。
机译:具有高输出电压强度的MOS晶体管-栅极的源极端与源区域对齐,而漏极端与漏极区域相距一定距离
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