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陆静学; 黄风义; 王志功; 吴文刚;
东南大学射频与光电集成电路研究所;
北京大学微电子学研究院;
MOSFET; 表面势; 解析近似; 器件建模;
机译:Hulthen势的任意状态的近似解析解与改进的离心项近似
机译:Hulthén势的任意l态的近似解析解,具有改进的离心项近似
机译:改进的Tietz模型和改进的Rosen-Morse势模型的近似解析解
机译:基于表面势的N型通道4H-SiC MOSFET DCⅠ-Ⅴ特性的解析模型
机译:介电复合材料和半结晶复合材料的有限元分析,以及与电场对准的扁球体的电荷,力和化学势的解析计算和近似值。
机译:更正:使用解析肖特基势垒MOSFET模型分析黑磷晶体管
机译:双栅MOSFET的表面电势近似数值鲁棒性的改进
机译:用于推导重离子势的改进表面能方法
机译:用于获取解析表面近似表达式的形状数据的设备和方法
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