首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >直拉硅单晶中热施主的快速热退除

直拉硅单晶中热施主的快速热退除

         

摘要

本文研究了快速热处理退除热施主态的丁艺,及450℃、1小时热处理施主的再生问题.结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法,其效果与常规650℃、2小时处理相同.450℃、1小时处理没有热施主再生现象发生.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号