一个电压接近1V10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源(英文)

幸新鹏; 李冬梅; 王志华

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介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在电源电压为1.1V时,电源电流为43μA,低频的PSRR为55dB.该带隙基准源已通过UMC0.18μm混合信号工艺验证,芯片面积为0.186mm2.

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来源
《半导体学报》 |2008年第1期|24-28|共5页
作者
幸新鹏; 李冬梅; 王志华;
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作者单位

清华大学微电子研究所;

清华大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
CMOS带隙基准源; 低电源电压; 曲率补偿;

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