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一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源

摘要

本发明公开了一种闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源,属于电源及微电子技术领域。所述基准电压源包括:);CTAT电流产生电路,于产生PTAT电流(IPTAT);闭环补偿电流产生I);参考于产生闭环补偿电流(ICL电压产生电路,用于产生参考电压源(Vref);PTAT电流产生电路与CTAT电流产生电路相连,CTAT电流产生电路与闭环补偿电流产生电路相连,参考电压产生电路与CTAT电流产生电路和闭环补偿电流产生电路相连。本发明提供的闭环曲率补偿CMOS带隙基准电压源结构,可以有效地提高补偿电流的精确度,进而提高输出参考电压的温度稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN101533288B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-01-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN200910301441.4

  • 发明设计人 范涛;袁国顺;

    申请日2009-04-09

  • 分类号G05F3/30(20060101);

  • 代理机构11302 北京市德权律师事务所;

  • 代理人王建国

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-24

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G05F 3/30 授权公告日:20110126 终止日期:20160409 申请日:20090409

    专利权的终止

  • 2011-01-26

    授权

    授权

  • 2009-11-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-09-16

    公开

    公开

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