退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
万建军; 李国正; 李娜; 许雪林; 刘恩科;
西安交通大学微电子工程系;
硅; 硅化锗; 应变超晶格; PIN控制器;
机译:暗场电子全息技术研究Ge_xSi_(1-x)/ Si应变层超晶格中的应变和薄膜弛豫
机译:应变对凝结生长具有纳米厚度Ge_xSi_(1-x)层的SiO_2 / Ge_xSi_(1-x)/ SiO_2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:评论“使用Si〜+预离子注入到Si衬底上以增强Ge_xsi_(1-x)变质缓冲层的应变弛豫,以在Si衬底上生长Ge层” [应用物理来吧90,083507(2007)]
机译:用Ge_xSi_(1-x)/ Si应变层超晶格光电探测器检测1.3〜1.6μm范围内的光波
机译:硅(1-x)锗(x)/硅和硅/锗应变层超晶格的光致发光研究。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:用于长波长红外探测器的Si(1-x)Ge(x / Si超晶格中的子带间吸收
机译:si / si(1-x)Ge(x)应变层超晶格的光谱椭偏特征
机译:INAS / GASB应变层超晶格红外探测器的辐射缺陷缓解和相关方法
机译:INAS / GASB应变层超晶格红外探测器中的辐射缺陷缓解方法及相关方法
机译:nBn和pBp红外探测器,具有梯度阻挡层,梯度吸收层或chi形应变层超晶格吸收层
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。